求人情報詳細
グローバルニッチトップシェアの半導体装置メーカー 半導体成膜装置の機械設計(仕様策定、要件定義)
正社員
1000万円
| 勤務地 | 神奈川県 | ||||
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| 想定年収 | 【担当クラス】年収：420万円～ 730万円、月給：23万円～42万円 【主任クラス】年収：670万円～ 940万円、月給：37万円～55万円 【管理職クラス】資格別平均年収1,070万円～1,500万円、月額57万円～76万円 |
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| 推奨年齢 | 30代 | ||||
| 仕事内容 | 〇エピタキシャル成長製造装置開発の機械設計を行っていただきます。 ・検査装置の仕様実現のため、仕様策定、要件定義 ・設計実務を協力会社へ外注。その後の協力会社のコントロール ・設計関連会社で出来上がった設計内容をあらかじめ定義した基準・項目のもと、評価・解析 ・検証業務 ・使用部品の発注 〇エピタキシャル成長製造装置の特徴 1ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜 2緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布 3高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性 上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。 3つのコア技術のなかでも2「垂直方向のガスフロー」3「温度均一なヒーター」を 実現することが難しく、高い技術力が求められます。 【業務で使用するツール】 ・機械設計 2D AutoCAD、3D solidworks 【入社後お任せしたい業務】 上記業務内容を先輩社員がOJTでついて教育を行いながら、装置の仕様決めから入っていただくことを想定しております。 【働き方】 ・部署の平均残業時間：約20時間／月 ・リモートワーク：有 (週に約2日在宅勤務) 【製品・同社の強み】 ・電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局はエピタキシャル装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信ができないため注目されております。 ・またパワー半導体は省エネの部分においても、脱炭素推進が可能なものとして注目をされております。 ・また非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーに対して、同社装置を納入できているため、最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができております。 |
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| 経験・資格 | 【MUST】 ・真空技術にかかわる機械設計経験をお持ちの方 【WANT】 ・半導体製造装置の機械設計経験をお持ちの方 ・英語でのコミュニケーションが可能な方。 ※弊社は、各企業様に訪問し求人情報を取材する「法人営業担当」と、 転職希望者のご要望を承る「転職カウンセラー」を分業せず、 一人の担当者が一気通貫で担っております。 よって、求人情報の応募要件全てに該当しなくても、 企業様に対し、内々に打診したり相談することが可能な場合もございます。 ※更なる詳細事項は、カウンセリング（面談）時にお伝えします。 |
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| 企業データ |
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| Recruiting No. | 02008977000123 |
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